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濕熱老化試驗(yàn)IEC61646(薄膜太陽(yáng)光電模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn))
東莞市科文試驗(yàn)設(shè)備有限公司為您提供的以下標(biāo)準(zhǔn)涉及到科文生產(chǎn)的以下試驗(yàn)設(shè)備:濕熱老化試驗(yàn)箱,濕熱試驗(yàn)箱,濕熱測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),UV光老化試驗(yàn)箱,溫濕度循環(huán)試驗(yàn)箱,高低溫試驗(yàn)箱等儀器。
IEC61646薄膜太陽(yáng)能電池試驗(yàn)項(xiàng)目:
說(shuō)明:透過(guò)診斷量測(cè)、電性量測(cè)、照射測(cè)試、環(huán)境測(cè)試、機(jī)械測(cè)試五種類型測(cè)試及檢查模式,確認(rèn)薄膜型太陽(yáng)能的設(shè)計(jì)確認(rèn)及形式認(rèn)可之要求,并且確認(rèn)模塊能夠在規(guī)范所要求的一般氣候環(huán)境下長(zhǎng)期操作。
薄膜太陽(yáng)能驗(yàn)證測(cè)試程序
IEC61646-10.1目視檢查(Visual inspection procedure)
目的:檢查模塊內(nèi)任何目視缺陷。
IEC61646-10.2標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下之性能(Performance at STC)
目的:用自然光或是*仿真器,在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下(電池溫度:25±2℃、照射度:1000wm^-2、標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光譜照射分布符合IEC891規(guī)定),測(cè)試模塊隨負(fù)荷變化之電性能。
IEC61646-10.3絕緣測(cè)試(Insulation test)
目的:欲測(cè)試模塊中之載流零件與模塊邊框間是否有良好之絕緣
IEC61646-10.4溫度系數(shù)量測(cè)(Measurement of temperature coefficients)
目的:由模塊測(cè)試中測(cè)試其電流溫度系數(shù)及電壓溫度系數(shù),此測(cè)定之溫度系數(shù)僅在測(cè)試中所使用之照射度下有效,對(duì)于線性模塊,在此照射度±30%內(nèi)是有效的。IEC891規(guī)定了從具有代表性一批中之單體電池測(cè)量這些系數(shù),本程序是對(duì)該標(biāo)準(zhǔn)之補(bǔ)充。薄膜太陽(yáng)能電池模塊之www.itzolnb.com溫度系數(shù)依賴于召涉及模塊所經(jīng)歷之熱處理過(guò)程,當(dāng)涉及溫度系數(shù)時(shí),熱測(cè)試時(shí)之條件及照射結(jié)果等過(guò)程情況均應(yīng)標(biāo)明。
IEC61646-10.5標(biāo)稱操作電池溫度[NOCT]之量測(cè)(Measurement of nominal operating cell temperature)
目的:測(cè)試模塊之NOCT
IEC61646-10.6 NOCT下之性能(Performance at NOCT)
目的:當(dāng)標(biāo)稱操作電池溫度與照射度為800Wm^-2時(shí),在標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光譜照射分布條件下,確定模塊隨負(fù)荷變化之電性能。
IEC61646-10.7低照射度下之性能(Performance at low irradiance)
目的:在25℃與照射度為200Wm^-2(用適當(dāng)之基準(zhǔn)電池測(cè)定)之自然光或A類仿真器,確定模塊隨負(fù)荷變化之電性能。
IEC61646-10.8戶外曝曬測(cè)試(Outdoor exposure)
目的:對(duì)于模塊暴露于室外情況下之抵抗力做出不知評(píng)估,并顯示由實(shí)驗(yàn)是測(cè)試所無(wú)法偵測(cè)出之任何劣化之影響。
IEC61646-10.9熱班耐久測(cè)試(Hot-spot test)
目的:確定模塊承受熱班加熱效應(yīng)之能力,例如封裝材料老化、電池裂紋、內(nèi)部連結(jié)失效,局部被遮光或污邊均會(huì)引起這種缺陷。
IEC61646-10.10 UV測(cè)試(UV test)
目的:確認(rèn)模塊承受紫外線(UV)之照射之能力
IEC61646-10.11熱循環(huán)測(cè)試(Thermal cycling)
目的:確認(rèn)模塊抵抗由于溫度之重復(fù)變化所產(chǎn)生之熱不均勻性,疲勞及其它應(yīng)力之能力。在接收該測(cè)試之前,模塊應(yīng)進(jìn)行退火。[I-V測(cè)試前]是指退火后之測(cè)試,注意在進(jìn)行zui后I-V測(cè)試前,不要將模塊暴露于光照下。
試驗(yàn)要求:
a. 整個(gè)測(cè)試過(guò)程中,監(jiān)測(cè)每一個(gè)模塊內(nèi)部電連續(xù)性之儀器
b. 監(jiān)測(cè)每一個(gè)模塊之一個(gè)隱現(xiàn)端和邊框或支撐架之間絕緣完整性
c. 整個(gè)測(cè)試過(guò)程中紀(jì)錄模塊溫度,并監(jiān)測(cè)可能產(chǎn)生之任何開(kāi)路或接地失效(測(cè)試過(guò)程中無(wú)間歇開(kāi)路或接地失效)。
d..絕緣電阻需符合如初步量測(cè)之相同要求
IEC61646-10.12 濕冷凍循環(huán)測(cè)試(Humidity freeze)
目的:測(cè)試模塊抵抗在高溫和高濕下,隨后之零下溫度之影響力,這并不是熱沖擊測(cè)試,在接收該測(cè)試前,模塊應(yīng)進(jìn)行退火,并經(jīng)受熱循環(huán)試驗(yàn),[[I-V測(cè)試前]指的是熱循環(huán)后測(cè)試,注意在zui后I-V測(cè)試前,不要將模塊暴露于光兆下。
試驗(yàn)要求:
a.整個(gè)測(cè)試過(guò)程中,監(jiān)測(cè)每一個(gè)模塊內(nèi)部電連續(xù)性之儀器
b.監(jiān)測(cè)每一個(gè)模塊之一個(gè)隱現(xiàn)端和邊框或支撐架之間絕緣完整性
c.整個(gè)測(cè)試過(guò)程中紀(jì)錄模塊溫度,并監(jiān)測(cè)可能產(chǎn)生之任何開(kāi)路或接地失效(測(cè)試過(guò)程中無(wú)間歇開(kāi)路或接地失效)。KOWIN濕熱試驗(yàn)箱
d.絕緣電阻需符合如初步量測(cè)之相同要求
IEC61646-10.13 濕熱測(cè)試(Damp heat)KOWIN濕熱老化試驗(yàn)箱
目的:欲測(cè)試模塊抵抗?jié)駳忾L(zhǎng)期滲透之影響能力
試驗(yàn)要求:絕緣電阻需符合如初步量測(cè)之相同要求
IEC61646-10.14 引線端強(qiáng)度測(cè)試(Robustness of terminations)
目的:欲測(cè)定引線端與引線端至模塊本體上之附著是否能承受正常安裝及操作過(guò)程中所受之力。
IEC61646-10.15 扭曲測(cè)試(Twist Test)
目的:檢測(cè)模塊安裝于非結(jié)構(gòu)上可能造成的問(wèn)題
IEC61646-10.16 機(jī)械負(fù)荷測(cè)試(Mechanical load test)
目的:本測(cè)試之目的是測(cè)定模塊抵抗風(fēng)、雪、冰或靜負(fù)荷之能力
IEC61646-10.17 冰雹測(cè)試(Hail test)
目的:欲驗(yàn)證模塊有抵抗冰雹之沖擊能力
IEC61646-10.18光暴露測(cè)試(Light soaking)KW-UV3光老化測(cè)試箱
目的:通過(guò)仿真太陽(yáng)照射之方法,穩(wěn)定薄膜模塊之電性能
IEC61646-10.19退火測(cè)試(Annealing)
目的:在驗(yàn)證測(cè)試前,將薄膜模塊退火,如不退火,在后續(xù)程序測(cè)試過(guò)程中之加熱可能掩蓋其它原因引起之衰減。
IEC61646-10.20濕漏電流測(cè)試(Wet leakage current)
目的:評(píng)估模塊在濕操作條件下之絕緣性,并驗(yàn)證由雨、霧、露水或融化之雪水之濕氣不會(huì)進(jìn)入模塊電路之帶電部位,否則這可能會(huì)造成腐蝕、接地故障或安全上之危險(xiǎn)。
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